因高压差分探头测试半桥上管Vgs时会炸管，需要对半桥上管控制信号的具体参数进行摸底测试
因该氮化镓快充PCBA设计密度很高，阻容采用0402器件，只能采用不是方案的同轴延长线连接（通常推荐采用MCX母座连接，可最大限度减少引线误差）。
▲图1：接线
1.将探头连接10X衰减器，并将衰减器插入同轴延长线；3.将示波器对应通道衰减比设置10X，将输入电阻设置为50Ω；
4.给目标板上电；
▲图2：测试场景1
▲图3：测试场景2
1.Vgs控制电压5.1V左右，信号光滑无任何畸变；2.上管关断瞬间负冲0.5V左右，在氮化镓器件安全范围；3.下管关断瞬间引起的负冲在2.2V左右，在氮化镓器件安全范围；
（以上数据通过截屏读数）
2.测试显示Vgs信号无任何震荡，共模干扰被全抑制；3.OIP系列光隔离探头测试氮化镓半桥上管Vgs，没有引起炸管。
