光隔离探头 氮化镓GaN半桥上管测试

更新时间:2023-03-24      点击次数:299
测试背景


地点:
国外某品牌半导体企业,深圳氮化镓实验室
测试对象:
氮化镓半桥快充
测试原因:


因高压差分探头测试半桥上管Vgs时会炸管,需要对半桥上管控制信号的具体参数进行摸底测试


测试探头:
麦科信OIP系列光隔离探头
现场条件
因该氮化镓快充PCBA设计密度很高,阻容采用0402器件,只能采用不是方案的同轴延长线连接(通常推荐采用MCX母座连接,可最大限度减少引线误差)。
现场连接图如下:



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▲图1:接线


现场测试步骤
1.将探头连接10X衰减器,并将衰减器插入同轴延长线;
2.将OIP探头连接示波器第4通道并开机;
3.将示波器对应通道衰减比设置10X,将输入电阻设置为50Ω;


4.给目标板上电;


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▲图2:测试场景1


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▲图3:测试场景2


测试结果
1.Vgs控制电压5.1V左右,信号光滑无任何畸变;
2.上管关断瞬间负冲0.5V左右,在氮化镓器件安全范围;
3.下管关断瞬间引起的负冲在2.2V左右,在氮化镓器件安全范围;
4.Vgs信号上升时间240ns左右。


(以上数据通过截屏读数)


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▲图4:测试结果截屏
结论
1.目标板设计合理,Vgs控制信号近乎可以;
2.测试显示Vgs信号无任何震荡,共模干扰被全抑制;
3.OIP系列光隔离探头测试氮化镓半桥上管Vgs,没有引起炸管。



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