用TH1992快速测试半导体器件I/V特性

更新时间:2023-05-24      点击次数:460

研究背景:电子测量仪器作为基础科研工具,是国家科研自主可控的重要环节。在半导体器件、超导材料和光电器件等测试领域中,为了更全面地检测器件特性,提升整个测试系统的效率,往往对供给电源和测量同步性方面有更严苛的要求。


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TH1991/TH1992系列精密源/测量单元可输出高达±210V直流电压、±3A直流电流以及±10.5A脉冲电流、最小10fA/100nV的电源和测量分辨率,支持高速采样,可生成任意波形。

TH1992为双通道版本,相较于单通道版本,TH1992支持双通道同步输出及测量,对于3端器件的测试更友好,可极大提升测试效率。

一、二极管I/V特性

晶体二极管也称为半导体二极管,简称二极管(Diode)。内部由一块P型半导体和N型半导体经特殊工艺加工,在其接触面上形成一个PN结。外部有两个电极,分别称为正极(P型区一侧)和负极(N型区一侧),使用时不能将正负极接反。


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因此,二极管具有单向导电性,可用于整流、检波、稳压等电路中。用来产生、控制、接收、变换、进行能量转换等。


衡量二极管特性和核心是二极管的伏安特性曲线(简称I/V特性)

二极管分硅管和锗管


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材料类型

死区电压

正向导通电压

Si

0.5V

0.6-0.8V

锗(Ge

0.1V

0.2-0.3V

如何测试二极管的I/V特性?以常见的1N4148保护二极管为例



TH199X方案VS传统方案区别在哪儿?


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连接好之后,操作更简单

只需8步,可以将二极管正反向IV曲线全部测出,全程触摸屏操作,无需连接电脑上位机,曲线可直接截屏及生成csv表格,快捷简单。

因此,使用TH199X系列精密源/测量单元(SMU)测试更精确、更快捷,适合从产线到实验室各种场合。


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